Nieuws

IBM verbetert pcm

  • 3 bits per cel
  • Non-volatiel geheugen

Technologiebedrijf IBM is erin geslaagd om drie bits per cel op te slaan in zogenoemd phase-change memory (pcm), een nieuw type computergeheugen. Tot nu toe kwamen wetenschappers bij pcm niet verder dan twee bits per cel.

Net als bij flashgeheugen (bijvoorbeeld gebruikt voor geheugenkaartjes) bewaart pcm ook gegevens als er geen spanning op staat, het zogenaamde non-volatiele geheugen. Dat kan doordat het materiaal waaruit pcm is gemaakt onder invloed van spanning verandert van een kristallijne structuur in een amorfe structuur en omgekeerd. Hierbij verandert de interne weerstand van het materiaal, waardoor het bruikbaar is voor dataopslag.

Dat pcm geen spanning vergt om gegevens te bewaren is een voordeel ten opzichte van dynamic random acces memory (dram), een type computergeheugen dat met name dient als werkgeheugen en bij afwezigheid van een elektrische spanning wel alle opgeslagen gegevens verliest.

Productiekosten omlaag

Nu is pcm nog relatief duur, wat een doorbraak van de technologie belemmert. Als eenzelfde hoeveelheid pcm, zoals IBM claimt, nu inderdaad meer gegevens op kan slaan, wordt het een stuk goedkoper en komen de productiekosten van pcm dichter bij die van flash en dram te liggen, zo stelt Haris Pozidis, een van de betrokken IBM-onderzoekers.

Als mogelijke toepassing noemen de onderzoekers een combinatie tussen pcm en flash voor bijvoorbeeld mobieltjes, zodat deze binnen enkele seconden opstarten.

Het is overigens niet de eerste keer dat onderzoekers beslissende doorbraken aankondigen rond pcm: in 2008 claimden Intel en STM de technologie marktrijp te hebben en in 2010 kondigde Samsung aan zwaar in te zetten op het type geheugen. Tot nu toe is daar nog niets van terechtgekomen.

Naar boven